10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圆生产商环球晶圆控股（GlobalWafers）董事长徐秀兰表现，公司战胜了量产碳化硅（SiC）晶圆的重重技术难关，已经将 SiC 晶圆推动至 8 英寸，和国际大厂坚持同步。

从报道中获悉，徐秀兰表现客户都希望环球晶圆教书从 6 英寸到 8 英寸 SiC 量产的过渡，重要客户来自汽车领域。

环球晶圆设计并开发了专门的碳化硅晶体生长炉（Crystal Growth Furnace），加强了资料质量节制并降低了晶体生长成本。

SiC 的高硬度和脆性使得晶圆加工具有挑衅性，但环球晶圆采取更高的工艺精度和更高效的晶圆处置方式，从而实现超薄 SiC 晶圆加工。