附 SK 海力士 321 层 1Tb TLC NAND 介绍如下：

321 层 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 层 512Gb 提高了 59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

此外，SK 海力士还推出了针对这些需求而进行优化的下一代 NAND 产品解决方案：采用 PCIe 5 (Gen5) 接口的企业级固态硬盘 (Enterprise SSD, eSSD) 及 UFS 4.0。

SK 海力士还表示，公司在目前积累的产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上，正在积极开发下一代 PCI 6.0 和 UFS 5.0 产品，以致力于在未来继续引领市场。